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电子元器件详细资料 » IC[28772] » SIZ900DT-T1-GE3
型号:SIZ900DT-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:*描述:MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 N 沟道(双)非对称型
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C24A, 28A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C5.9 mOhm @ 19.4A, 10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.4V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs29nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1830pF @ 15V
功率_最大4.6W, 5.2W
安装类型*
封装/外壳*
供应商设备封装*
包装*

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
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