型号:SIZ900DT-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:* | 描述:MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 24A, 28A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 5.9 mOhm @ 19.4A, 10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 29nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1830pF @ 15V |
功率_最大 | 4.6W, 5.2W |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
供应商设备封装 | * |
包装 | * |
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